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狠甩 SK 海力士、美光!三星 10 奈米 DRAM 量产,记忆体脱离 20 奈

作者: 时间:2020-07-23 319° 方面创新
狠甩 SK 海力士、美光!三星 10 奈米 DRAM 量产,记忆体脱离 20 奈

相较于 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才导入量产,加速 20 奈米製程转换,在 2016 年才要进入 18/16 奈米製程竞赛的同时,早已抢先导入 20 奈米的三星,现在直接丢出 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM 量产的震撼弹,意图大幅甩开对手纠缠。

三星在 5 日宣布量产 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM,抢先 DRAM 大厂推出 10 奈米製程产品。三星指出,新的 10 奈米 8Gb DDR4 资料传输率可达 3,200  Mbps,较上一代 20 奈米 8Gb DDR4 速度提升 30%;并较 20 奈米相同产品省下 10~20% 的电力,这对于高效能运算(HPC)、资料中心或大型企业网络而言,有一定的吸引力,除了 PC 以外,三星加速抢攻 IT 设备市场的企图明显,10 奈米产品线涵盖 4GB PC 模组,到 128 GB 企业用伺服器,预估年底将大量供货。而三星也预告,今年稍晚将会推出 10 奈米製程 mobile DRAM,进入 ultra-HD 智慧手机时代。

当製程转进 10 奈米,微缩更加不易,不过,三星这次还是用 ArF 浸润式微影技术,还未用到被视为 10 奈米以下製程微缩关键的极紫外光(EUV)微影技术。不同于 NAND Flash,DRAM 一个记忆胞(cell)就有一个电晶体与电容,当製程下到 10 奈米,线宽狭小到难以直接将电容堆叠于上头,三星利用四重曝光(quadruple patterning technology,QPT)技术,来改变 10 奈米记忆胞结构,让电晶体与电容足以有空间做连结。

DRAM 製程转进为什幺变得缓慢?

电容问题,成为 DRAM 转进 10 奈米以下製程的技术难点,另一方面,记忆体大厂在先前 DRAM 大崩盘下咬牙苦撑下来,却仍旧面临市况持续不佳的景况,近几年製程的提升逐渐变得缓慢,也大幅降低投资的比重,当逻辑製程已来到 14/16 奈米,记忆体製程才在 20 奈米,逐步要踏进 18/16 奈米而已,但对横跨记忆体与晶圆代工的三星而言,即拥有掌握记忆体市场技术转进的本钱。

三星与台积电、英特尔之间的逻辑製程竞赛,已进入 10 奈米以下製程争战,由于记忆体製程较逻辑製程容易,台积电、三星通常都以 SRAM、DRAM 来练兵,製程的转进先从记忆体下手,当良率提升到一定程度再导入逻辑产品。

三星在 2015 年 11 月中即发表 10 奈米 FinFET SRAM,三星在製程技术即领先记忆体群雄,现在 DRAM 製程一举转进 10 奈米,藉此狠甩对手的意图不言可喻。

台积电在去年 12 月底,于供应链管理论坛也透露,早已成功以 7 奈米製程产出 SRAM,而且预告供应链伙伴可开始準备 5 奈米,接下来逻辑製程竞赛同样可期,依台积电与三星先前说法,10 奈米製程量产约在 2016 年底,英特尔第一颗 10 奈米 CPU 则延至 2017 年下半。不只记忆体製程竞赛出现大变化,逻辑製程竞赛同样可期。

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